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　　外圍電路串聯(lián)了放電保護MOS管和充電保護MOS管，COUT輸出信號被加在充電保護MOS管的柵上，COUT為低電平則充電MOS管被關斷，反之則導通。對DOUT輸出信號的工作方式和COUT相同，當VDD電壓降到VREL1－以下后，COUT輸出一個高電平重新讓外圍電路進行工作。

　　當對鋰離子電池進行放電時，電壓由高到低變化，如果電壓低于VDET2（過放門限電壓），一個TVDET2延遲后，在芯片引腳DOUT輸出一個低電平切斷外圍電路，不再對鋰離子電池進行放電。當檢測到V－腳處電壓大于VDET3（過流檢測門限電壓），一個TVDET3延遲后在DOUT輸出一個低電平，切斷外圍電路。假如電壓進一步增大超過Vshort，則短路保護電路立即輸出一個低電平切斷外圍電路。

　　芯片的功能電路的設計基準電路的設計電壓基準電路的輸出電壓可調(diào)，NMOS管的源漏并聯(lián)有可調(diào)開關。由于在集成電路制造過程中難免存在工藝誤差，導致基準電壓輸出與標稱值的偏差。

　　通過激光對開關通斷的控制可以對輸出電壓進行調(diào)節(jié)。使輸出和標稱值相吻合。和開關相并聯(lián)的NMOS管的導通電阻比較小，在調(diào)節(jié)過程中，不會導致輸出JIZHUN電壓的大幅變化。中的M1、M2、M3、M4為耗盡NMOS管，柵源相連并工作在飽和區(qū)，NMOS管的溝道調(diào)制效應可以忽略。當電源電壓變化時，這種變化轉化為VDS變化，對電流不會產(chǎn)生影響。VGS1為M5、M6、M7等效成一個MOS管之后的柵源電壓，VGS2為M8、M9、M10等效成一個MOS管之后的柵源電壓。M5￣M10為增強型MOS管，工作在飽和狀態(tài)。電壓VJIZHUN輸出用來做中比較器VD1和VD2的基準電壓。

　　偏置電路的設計偏置電路如，PIANZHI1是用來偏置電路中若干PMOS管，PIANZHI2是用來偏置電路中若干NMOS管。使被偏置的NMOS管和PMOS管都工作在飽和狀態(tài)。在應用中，N4、N5兩個PMOS管組成電流鏡，N6管的二極管接法構成了一個有源電阻，N7、N8、N9三個耗盡NMOS管和電阻R1組成了一個恒流源，通過調(diào)節(jié)R1來調(diào)節(jié)流過N5的電流，從而決定流過N4的電流，而電流和N6管的電阻值共同決定PIANZHI2電壓的輸出值。

(責任編輯：王杰)